ESD（硅保护）阵列|上海tvs二极管批发
Littelfuse SPA器件设计用于保护电子设备免受通常具有破坏力的快速瞬态电压的破坏，例如雷击和静电放电（ESD）。 它们为电脑和便携式消费电子产品市场提供了针对输入/输出接口和数字与模拟信号线的理想保护方案。
Littelfuse SPA器件可提供包括DIP、SOIC、MSOP、SOT23、SOT143、SC70、SOT5x3、SOT953、μDFN、SOD723和倒装在内的多种封装配置。
硅保护阵列拥有较低的电容、泄漏电流和箝位电压，可提供别的保护（根据IEC 61000-4-2标准，电压高达30kV）。 SP03-xx和SP30xx器件可用于更严酷的应用条件，能够防止EFT和雷击瞬变威胁，符合IEC-61000-4-4/5标准。
静电放电（ESD）是一种电瞬态现象，可对电子电路造成严重威胁。 最常见的原因是由于两种不同材料相互摩擦而造成电荷在表面积聚。 通常，其中的一个表面为人体，静电荷经常高达15,000伏。 当静电电压达到6,000伏时，如发生ESD，则会令人体感到痛苦。 较低的放电电压可能不会引起人们注意，不过也会对电子元件和电路造成灾难性的损坏。
| 系列名称与网页链接 |
示意图（示例） |
ESD等级（接触式） |
I/O座帽 |
vRWM |
雷击（tP=8/20μs） |
通道数量 |
封装选择 |
| 用于ESD保护的单向和双向TVS阵列： |
| SP050xBA |
 |
±30kV |
50pF（2.5V时为30pF） |
5.5V |
无 |
2 |
SOT23-3 SC70-3 |
| 3 |
SOT143 |
| 4 |
SOT23-5 SC70-5 |
| 5 |
SOT23-6 SC70-6 |
| 6 |
MSOP-8 |
| SP1001 |
|
±15kV |
12pF（2.5V时为8pF） |
5.5V |
2A |
2 |
SC70-3 SOT553 |
| 4 |
SC70-5 SOT553 |
| 5 |
SC70-6 SOT563 |
| SP1002 |
|
±8kV |
6pF（2.5V时为5pF） |
6V |
2A |
1 |
SC70-3 |
| 2 |
SC70-5 |
| SP1003 |
|
±25kV |
30pF（2.5V时为17pF） |
5V |
7A |
1 |
SOD723 |
| SP1004 |
|
±8kV |
6pF（1.5V时为5pF） |
6V |
2A |
4 |
SOT953 |
| SP1005 |
|
±30kV |
30pF（2.5V时为23pF） |
6V |
10A |
1 |
0201倒装 |
| SP1007 |
|
±8kV |
5pF（5V时为3.5pF） |
6V |
2A |
1 |
0201倒装 |
| SP1010 |
|
±8kV |
6pF（2.5V时为3.5pF） |
6V |
1A |
4 |
μDFN-6 1.25x1.0mm |
| SP1011 |
|
±15kV |
12pF（2.5V时为7pF） |
6V |
2A |
4 |
μDFN-6 1.25x1.0mm |
| 系列名称与网页链接 |
示意图（示例） |
ESD等级（接触式） |
I/O座帽 |
vRWM |
雷击（tP=8/20μs） |
通道数量 |
封装选择 |
| 用于ESD保护的低电容二极管阵列： |
| SP3001 |
|
±8kV |
0.65pF |
6V |
2.5A |
4 |
SC70-6 |
| SP3002 |
|
±12kV |
0.85pF |
6V |
4.5A |
4 |
SC70-6 SOT23-6 μDFN-6 1.6x1.6mm |
| SP3003 |
|
±8kV |
0.65pF |
6V |
2.5A |
2 |
SC70-5 SOT553 |
| 4 |
SC70-6 SOT563 MSOP-10 |
| SP3004 |
|
±12kV |
0.85pF |
6V |
4A |
4 |
SOT563 |
| SP3010 |
|
±8kV |
0.45pF |
6V |
3A |
4 |
μDFN-10 2.5x1.0mm |
| SP3011 |
|
±8kV |
0.40pF |
6V |
3A |
6 |
μDFN-14 3.5x1.35mm |
| SP3050 |
|
±20kV |
2.4pF |
6V |
10A |
4 |
SOT23-6 |
| 系列名称与网页链接 |
示意图（示例） |
ESD等级（接触式） |
I/O座帽 |
vRWM |
雷击（tP=8/20μs） |
通道数量 |
封装选择 |
| 用于宽带保护设备的低电容二极管阵列： |
| SP03-3.3 |
|
±30kV |
16pF |
3.3V |
150A |
2 |
SOIC-8 |
| SP03-6 |
|
±30kV |
16pF |
6V |
150A |
2 |
SOIC-8 |
| SPLV2.8 |
|
±30kV |
3.8pF |
2.8V |
24A |
1 |
SOT23-3 |
| SPLV2.8-4 |
|
±30kV |
3.8pF |
2.8V |
24A |
4 |
SOIC-8 |
| 系列名称与网页链接 |
示意图（示例） |
ESD等级（接触式） |
I/O座帽 |
vRWM |
雷击（tP=8/20μs） |
通道数量 |
封装选择 |
| 带ESD保护的EMI滤波器阵列： |
| SP6001 |
|
±30kV |
24pF（CDIODE=12pF） |
6V |
1GHz时大于等于-30dB |
4 |
μDFN-8 1.7x1.35mm |
| 6 |
μDFN-12 2.5x1.35mm |
| 8 |
μDFN-16 3.3x1.35mm |
| SP6002 |
|
±30kV |
30pF（CDIODE=15pF） |
6V |
1GHz时大于等于-30dB |
4 |
μDFN-8 1.7x1.35mm |
| 6 |
μDFN-12 2.5x1.35mm |
| 系列名称与网页链接 |
示意图（示例） |
ESD等级（接触式） |
I/O座帽 |
vRWM |
雷击（tP=8/20μs） |
通道数量 |
封装选择 |
| 用于ESD保护的SCR/二极管阵列： |
| SP720 |
|
±4kV |
3pF |
30V或（±15V） |
3A |
14 |
SOIC-16 PDIP-16 |
| SP721 |
|
±4kV |
3pF |
30V或（±15V） |
3A |
6 |
SOIC-8 PDIP-8 |
| SP723 |
|
±8kV |
5pF |
30V或（±15V） |
7A |
6 |
SOIC-8 PDIP-8 |
| SP724 |
|
±8kV |
3pF |
20V或（±10V） |
3A |
4 |
SOT23-6 |
| SP725 |
|
±8kV |
5pF |
30V或（±15V） |
14A |
4 |
SOIC-8 |